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砷化镓衬底上的大失配HEMT (MHEMT )-分离InP(磷化铟)

规格:4英寸-6英寸

        GaAs(砷化镓)基InAlAs/InGaAs大失配MHEMT,同时分离了InP(磷化铟)基HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的长处以及GaAs基HEMT衬底制备工艺成熟的劣势,在毫米波频段揭示出杰出的利用潜力。

 

        喜玩兔体育 产物PHEMT、VCSEL 等产物的次要目标到达国际程度。以 6 英寸PHEMT 为例,喜玩兔体育 在电子迁徙率、二维电子气浓度、内涵材料不均匀性、名义错误谬误密度等焦点目标,均到达或优于IQE(国际 GaAs 巨擘企业)同类产物目标程度。

 

        现具有美国Veeco公司的GEN2000、GEN200大型出产型份子束内涵设备工艺线,包含全套的国际一流阐发检测设备。建有2000多平方米的配套厂房,此中包含百级超净半导体和以及相干齐备的无尘出产车间的配套办法。并经过引进外洋大型份子束内涵(MBE)量产化设备,完成产物范围化出产。公司曾经经过ISO9001:2015,ISO14001,北京市高新企业,中关村高新技术企业等相干认证。

专业出产:砷化镓GaAs内涵片 磷化铟InP内涵片

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