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砷化镓GaAs边射型激光器结构材料 (GaAs EdgeEmitting Lasers)

规格:3英吋-4英吋

一种边发射的发光激光器,它的发光区被限定在一边的很小局部,有限的光发射区能改进与光纤和集成光路的耦合服从。其任务道理是经过必定的鼓励方法,在半导体物资的能带(导带与价带)之间,大概半导体物资的能带与杂质(受主或檀越)能级之间,完成非均衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转形态的大批电子与空穴复合时,便发生受激起射感化。

专业出产:砷化镓GaAs内涵片 磷化铟InP内涵片

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