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高电子迁徙率晶体管 (HEMT/InP HEMT)

规格:4英寸-6英寸

        GaAs/InP(砷化镓/磷化铟)基InAlAs/InGaAs大失配MHEMT,同时分离了InAlAs/InGaAs/InP基HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的长处以及GaAs基HEMT衬底制备工艺成熟的劣势,在毫米波频段揭示出杰出的操纵潜力。  

 

        HEMT高电子迁徙率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管,又称为调制搀杂场效应晶体管(MODFET)、二维电子气场效应晶体管(2-DEGFET)、抉择搀杂异质结晶体管 (SDHT)等。      

 

        这类器件及其集成电路都可能任务于超高频(毫米波)、超高速范畴,起因就在于它是操纵存在很高迁徙率的所谓二维电子气来任务的。HEMT的根本结构便是一个调制搀杂异质结。高迁徙率的二维电子气(2DEG)存在于调制搀杂的异质结中,这类2DEG不只迁徙率很高,并且在极高温度下也不“解冻”,则HEMT有很好的高温功能, 可用于高温研究任务中。

 

        喜玩兔体育 产物包含射频用化合物半导体 PHEMT、HMT 以及光电子用VCSEL 等产物。PHEMT、VCSEL 等产物的次要目标到达国际程度。以 6 英寸PHEMT 为例,如电子迁徙率、二维位电子气浓度、内涵材料不均匀性、名义错误谬误密度等焦点目标。

        现拥大型出产型份子束内涵设备工艺线,包含全套的国际阐发检测设备。建有2000多平方米的配套厂房,此中包含百级超净半导体和以及相干齐备的无尘出产车间的配套办法。并经过引进外洋大型份子束内涵(MBE)量产化设备,完成产物范围化出产。公司曾经经过ISO9001:2015,ISO14001,北京市高新企业,中关村高新技术企业等相干认证。

专业出产:砷化镓GaAs内涵片 磷化铟InP内涵片

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