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金属半导体场效应晶体管 (GaAs-MESFET)砷化镓内涵片

规格:4英寸-6英寸

        GaAs(砷化镓)基InAlAs/InGaAs大失配MHEMT,同时分离了InP(磷化铟)基HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的长处以及GaAs基HEMT衬底制备工艺成熟的劣势,在毫米波频段揭示出杰出的利用潜力。 

     

        GaAs-MESFET(Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-半导体[打仗势垒]场效应晶体管)存在精良的微波、高速、大功率和低乐音等功能。比方,对付栅长L=1μm、栅宽W=250μm的微波GaAs-MESFET的乐音,在C波段时为1 dB (响应的BJT为2 dB),在Ku波段时为2.5~3 dB (响应的BJT为5 dB)。与微波硅BJT比拟,GaAs-MESFET不只任务频次高 (可达60GHz)、噪声低,并且饱和电平高、靠得住性初等;这是因为与硅比拟,n-GaAs内涵材料的电子迁徙率要大5倍、峰值漂移速率要大2倍,并且器件的衬底可用半绝缘GaAs(SI- GaAs )以减小寄生电容。

 

        别的,HEMT因为其栅极常常是Schottky势垒栅,故实践上也能够当作是一种功能出格精良的超高频、超高速的MESFET。

 

        MOSFET采纳横向双分散结构(IDMOS)来分身任务频次与功率的请求,MESFET则采纳肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构(图1.24)。就PN结的特征而言,与肖特基二极管并无实质上的差别。家喻户晓,肖特基势垒的根本结构便是“Metal-Semiconductor”(金属-半导体),MESFET也是由此得名。固然都是横向沟道,可是MESFET的沟道更短。

专业出产:砷化镓GaAs内涵片 磷化铟InP内涵片

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