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喜玩兔体育 半导体科技(北京)有限公司官网,喜玩兔体育 官网    异质结双极晶体管 HBT内涵片 AlGaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs
产物-26810692

异质结双极晶体管 HBT内涵片 AlGaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs

阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好
合用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产物以及无线地区网路当中
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs

砷化镓(GaAs) HBT  

Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 异质结双极晶体管
一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层形成的双极晶体管

阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好
合用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产物以及无线地区网路当中

规格:

AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs

特色:
HBT与结构附近的同质结晶体管比拟,存在以下特色:

高速,能够到100GHz
特点频次fT高;
最高振荡频次fmax高;
厄利(Early)电压较高(因基区搀杂浓度高,耗尽区不易在基区内扩大);
基区穿通电压较高;
当输入功率大导热差时,Ic-UCE特征常呈现负阻效应

专业出产:砷化镓GaAs内涵片 磷化铟InP内涵片

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