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产物-26521162

GaAs、InP基雪崩光电二极管(APD)内涵片

ACS操纵各类进步技术研发和制造高品德雪崩光电二极管。材料与加工工艺可按照客户需要举行调剂、定制:包含差别波长、速率和容量下的活络度等。ACS努力于为您制造得当的产物。

APD:     Avalanche  Photodiode
是光接纳机器件,次要感化是检测颠末传输的薄弱光旌旗灯号,并缩小、整形、再生成原传输旌旗灯号。
操纵光电效应把光旌旗灯号变化为电旌旗灯号的光电检测器件。

APD的任务道理:
经过光电效应发生电子和空穴在高电场区活动时被疾速加快,大概屡次碰撞别的原子发生 的成果使载流子疾速添加,反向电流疾速加大,构成雪崩倍增效应。
抉择操纵APD的起因次要为经过操纵雪崩倍增效应使光电流获得倍增后的接纳高活络度。
APD长处:活络高、呼应快、噪声小、本钱低和靠得住性高。

雪崩二极管凡是用于光旌旗灯号强度极低的任务环境,但也用于存在高调制频次的利用范畴。在低于60兆赫的频次范畴内,因雪崩效应而加重的噪声程度凡是低于经过分离操纵传统二极管与内部电子缩小器而发生的噪声程度。

该产物的典范利用范畴包含低电平旌旗灯号下的间隔丈量及光通讯等。

专业出产:砷化镓GaAs内涵片 磷化铟InP内涵片

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