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磷化铟衬底/晶圆 InP Wafer

各类规格的磷化铟衬底

半绝缘(Semi-Insulating)磷化铟衬底(InP Wafers)Prime Epi-Ready

p-type 磷化铟衬底(InP Wafers)Prime Epi-Ready

n-type 磷化铟衬底(InP Wafers)Prime Epi-Ready

采纳VGF工艺制备,保障材料的纯度。咱们全部的基片都颠末紧密抛光并充维护氛围维护,满意Epi-Ready利用请求。咱们供给各类尺寸规格,晶向,抛光,搀杂和定制化的晶片,您有必要请与咱们接洽。


产物规格

成长方法(Growth Method) VGF
搀杂范例(Dopant) n-type: S, Sn AND Undoped
晶圆外形(Wafer Shape) Round (DIA: 2", 3", AND 4")
晶向(Orientation) (100),(110)

 

 

 

 

*其余晶向可按照请求供给

Dopant S & Sn (n-type) Undoped (n-type)
Carrier Concentration (cm-3) (0.8-8) × 1018 (1-10) × 1015
Mobility (cm2/V.S.) (1-2.5) × 103 (3-5) × 103
Etch Pitch Density (cm2) 100-5,000 ≤ 5000

 

晶圆直径(Wafer Diameter) (mm) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
厚度(Thickness) (µm) 350±25 600±25 600±25
总厚度毛病(TTV )[P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
总厚度毛病(TTV )[P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
翘曲度(WARP) (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
主定位边(OF) (mm) 17±1 22±1 32.5±1
次定位边(OF / IF) (mm) 7±1 12±1 18±1
抛光(Polish*) E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

专业出产:砷化镓GaAs内涵片 磷化铟InP内涵片

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