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赝配高电子迁徙率晶体管 (PHEMT)-GaAs砷化镓内涵片

喜玩兔体育 产物包含射频用化合物半导体 PHEMT、HEMT 等产物的次要目标到达国际程度,在电子迁徙率、二维电子气浓度、内涵材料不均匀性、名义错误谬误密度等焦点目标,均到达国际同类产物目标程度。

专业出产:砷化镓GaAs内涵片 磷化铟InP内涵片

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